| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO | 
|---|---|---|---|---|
丝印:70N10L;Package:TO-220-3-1;SIPMOS Power-Transistor 文件:514.21 Kbytes 页数:8 Pages  | Infineon 英飞凌  | Infineon  | ||
MOSFET N-CH 100V 70A TO-220  | Infineon 英飞凌  | Infineon  | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件:265.58 Kbytes 页数:2 Pages  | ISC 无锡固电  | ISC  | ||
Advanced Power MOSFET FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ 175°C Operating Temperature ■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100V ■ Lower RDS(ON) : 0.018 Ω (Typ.) 文件:262.38 Kbytes 页数:7 Pages  | Fairchild 仙童半导体  | Fairchild  | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 70A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.023Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件:313.9 Kbytes 页数:2 Pages  | ISC 无锡固电  | ISC  | 
详细参数
- 型号:
SPP70N10
 - 功能描述:
MOSFET Automotive 100 V 70 A
 - RoHS:
否
 - 制造商:
STMicroelectronics
 - 晶体管极性:
N-Channel
 - 汲极/源极击穿电压:
650 V
 - 闸/源击穿电压:
25 V
 - 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
 - RDS(导通):
0.014 Ohms
 - 配置:
Single
 - 安装风格:
Through Hole
 - 封装/箱体:
Max247
 - 封装:
Tube
 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
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