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SPP42N03S2L-13	文件：541.41 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
PHB42N03LT	文件：61.53 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP42N03LTissuppl	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB42N03LT	文件：63.24 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP42N03LTissuppl	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB42N03T	文件：66.18 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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PHP42N03T	文件：59.85 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.ItisintendedforuseinDC-DCconvertersa	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
RFP42N03L	文件：112.48 Kbytes Page：8 Pages	42A,30V,0.025Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFET TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators,s	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
SUD42N03	文件：150.88 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK

详细参数

型号：
SPP42N03
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 42A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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