SPP35N10数据表ic资料供应价格微碧半导体-114ic电子网

首页 >SPP35N10>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
SPP35N10	文件：480.7 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP35N10	文件：951.86 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
35N10	文件：982.74 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
35N10	文件：49.94 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HMS35N10K	文件：1.0282 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
ME35N10	文件：984.26 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RFH35N10	文件：86.22 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSField-EffectTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFH35N10	文件：217.02 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFIELD-EFFECTTRANSISTORSN-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
RFK35N10	文件：220.39 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFIELD-EFFECTTRANSISTORS,N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
RFK35N10	文件：82.9 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSField-EffectTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
SPB35N10	文件：480.7 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD35N10	文件：556.02 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD35N10	文件：1.76597 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPI35N10	文件：480.7 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
STD35N10	文件：121.83 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	Samhop 三合微科	Samhop
STP35N10	文件：139.77 Kbytes Page：8 Pages	SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN	Samhop 三合微科	Samhop
STP35N10	文件：948.96 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
STU35N10	文件：121.83 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	Samhop 三合微科	Samhop
STUD35N10	文件：133.94 Kbytes Page：10 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	Samhop 三合微科	Samhop
SW35N10V	文件：894.16 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancedmodeDFN5*6MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER

12 >>>

详细参数

型号：
SPP35N10
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 35A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市赛能新源半导体有限公司	SPP35N10	INFINEON/英飞凌	21+	TO-220	60000	原装正品进口现货	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	SPP35N10	INFINEON		TO-220	14		询价
深圳市莱克讯科技有限公司	SPP35N10	INF	2017+	TO-220-3	25899	深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	SPP35N10	INFINEON	23+	T0-220	7936		询价
深圳市弘为电子有限公司	SPP35N10	INFINEON	16+	原装进口原厂原包接受订货	550	原装现货假一罚十	询价
深圳市星佑电子有限公司	SPP35N10	英飞凌	06+	TO-220	4500	原装库存	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	SPP35N10	INFINEON	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市瑞新盛科技有限公司	SPP35N10	infineon		TO-220	30000	原装正品价格优势现货库存	询价
深圳市壹芯创科技有限公司	SPP35N10	INFINEON	22+	TO220-3	18428	原装现货库存.价格优势	询价
深圳市华来深电子有限公司	SPP35N10	INFINE0N	23+	TO-220-3	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价

更多SPP35N10供应商更新时间2024-4-29 15:44:00

详细参数

相关规格书

相关库存