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SPP35N10	文件：480.7 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power-Transistor 文件：480.7 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP35N10	文件：951.86 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：951.86 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPP35N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB	Infineon 英飞凌	Infineon
STD35N10	文件：121.83 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● TO-252 and TO-251 Package. 文件：121.83 Kbytes 页数：10 Pages	Samhop 三合微科	Samhop
STP35N10	文件：139.77 Kbytes Page：8 Pages	Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). STU412S TO-252 Single-N STU420S TO-252 Single-N STU442S TO-252 Single-N STU410S TO-252 Single-N STU456A TO-252 Single-N STU456S TO-252 Single-N STU448S TO-252 Single-N STU466S TO-252 Single-N STU446S TO-252 Single N STU432L TO-252 Single N STU438A TO-252 Single-N STU458S TO-252 Single N 文件：139.77 Kbytes 页数：8 Pages	Samhop 三合微科	Samhop
STP35N10	文件：948.96 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：948.96 Kbytes 页数：3 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

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更多SPP35N10供应商更新时间2025-10-4 14:14:00