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SPP16N50C3	文件：363.45 Kbytes Page：13 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP16N50C3	文件：339.62 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultraloweffectivecapacitance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤280mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandrelia	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPP16N50C3	文件：729.27 Kbytes Page：14 Pages	Marking：16N50C3；Package：PG-TO220；New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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详细参数

型号：
SPP16N50C3
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 560V 16A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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