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SPP15N65C3	文件：258.62 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features High peak current capability Features •Lowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSC3designedfor: •NotebookAdapter	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
15N65C3	文件：282.69 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Lowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IXYP15N65C3	文件：188.7 Kbytes Page：6 Pages	Optimizedfor20-60kHzSwitching	IXYS IXYS Corporation	IXYS
SPA15N65C3	文件：260.87 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220Fpackage •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Reducedswitchingandconductionlosses •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPA15N65C3	文件：282.69 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Lowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPA15N65C3	文件：1.07076 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS)	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPI15N65C3	文件：330.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.38Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPI15N65C3	文件：305.06 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesExtremedv/dtrated Features •Lowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSC3designedfor: •NotebookAdapter	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
SPP15N65C3
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 650V 15A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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