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SPP15N60CFD	文件：340.34 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features Intrinsic fast-recovery body diode Features •Intrinsicfast-recoverybodydiode •Extremelylowreverserecoverycharge •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC CoolMOSCFDdesignedfor: •SoftswitchingP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP15N60CFD	文件：339.19 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.33Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPP15N60CFD	文件：543.38 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP15N60CFD_09	文件：543.38 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPW15N60CFD	文件：700.63 Kbytes Page：14 Pages	Intrinsicfast-recoverybodydiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPW15N60CFD	文件：335.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSH15N60	文件：271.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
WFF15N60	文件：432.2 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
WFF15N60	文件：225.29 Kbytes Page：8 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi

详细参数

型号：
SPP15N60CFD
功能描述：
MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V 0.330 Ohms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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