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SPP15N60CFD	文件：340.34 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features Intrinsic fast-recovery body diode Features •Intrinsicfast-recoverybodydiode •Extremelylowreverserecoverycharge •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC CoolMOSCFDdesignedfor: •SoftswitchingP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP15N60CFD	文件：339.19 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.33Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPP15N60CFD	文件：543.38 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP15N60CFD_09	文件：543.38 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
15N60	文件：165.12 Kbytes Page：6 Pages	15Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC15N60isanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecostumerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypu	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
15N60	文件：1.0671 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
15N60	文件：185.37 Kbytes Page：6 Pages	15A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
15N60	文件：49.33 Kbytes Page：2 Pages	HighSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
15N60CFD	文件：543.38 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AIHD15N60RF	文件：1.75601 Mbytes Page：16 Pages	IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
CEB15N60LN	文件：532.82 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB15N60SA	文件：449.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED15N60LN	文件：511.86 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 600V,13.6A,RDS(ON)=0.28W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED15N60SA	文件：524.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V@TJmax,13.4A,RDS(ON)=0.28W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF15N60LN	文件：532.82 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF15N60SA	文件：449.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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CEP15N60SA	文件：449.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU15N60LN	文件：511.86 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 600V,13.6A,RDS(ON)=0.28W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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详细参数

型号：
SPP15N60CFD
功能描述：
MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V 0.330 Ohms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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