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SPP15N60C3	文件：263.73 Kbytes Page：13 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance • P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) 文件：263.73 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP15N60C3	文件：318.13 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor • FEATURES • Ultra low effective capacitances • Low gate charge • Improved transconductance • Low gate drive power loss • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • Switching applications 文件：318.13 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SPP15N60CFD	文件：339.19 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Ultra low gate charge • High peak current capability • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.33Ω • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：339.19 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SPP15N60CFD	文件：340.34 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features Intrinsic fast-recovery body diode Features • Intrinsic fast-recovery body diode • Extremely low reverse recovery charge • Ultra low gate charge • Extreme dv /dt rated • High peak current capability • Qualified for industrial grade applications according to JEDEC CoolMOS CFD designed for: • Softswitching P 文件：340.34 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP15N65C3	文件：258.62 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features High peak current capability Features • Low gate charge • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant CoolMOS C3 designed for: • Notebook Adapter 文件：258.62 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP15N60C3	文件：689.7 Kbytes Page：14 Pages	Cool MOS??Power Transistor 文件：689.7 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP15N60C3	文件：689.7 Kbytes Page：14 Pages	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated 文件：689.7 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP15N60C3_09	文件：689.7 Kbytes Page：14 Pages	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated 文件：689.7 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP15N60CFD	文件：543.38 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS Power Transistor 文件：543.38 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP15N60CFD_09	文件：543.38 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS Power Transistor 文件：543.38 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
TO-220
VDS max：
600.0V
RDS (on) max：
280.0mΩ
Polarity ：
N
ID max：
15.0A
Ptot max：
156.0W
IDpuls max：
45.0A
VGS(th) min max：
2.1V 3.9V
QG ：
63.0nC
Rth ：
0.8K/W
RthJC max：
0.8K/W
RthJA max：
62.0K/W
Operating Temperature min：
-55.0°C

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更多SPP15N供应商更新时间2025-11-5 19:09:00

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