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SPP07N60C2	文件：159.83 Kbytes Page：14 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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SPB07N60C2	文件：1.10809 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPB07N60C2	文件：159.83 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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详细参数

型号：
SPP07N60C2
制造商：
Infineon Technologies AG

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