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SPP03N60C3	文件：308.23 Kbytes Page：14 Pages	Cool MOS Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance • P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) 文件：308.23 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP03N60C3	文件：338.99 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRIPTION • Ultra low gate charge • Ultra low current capability • Improved transconductance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤1.4Ω • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device perform 文件：338.99 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SPP03N60C3	文件：1.10962 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) APPLICATIONS • Server and telecom power supplies • Switch mode power supplies (SMPS) • Power factor correction 文件：1.10962 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPP03N60S5	文件：338.32 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRIPTION • Ultra low gate charge • Ultra low effective capacitance • Improved transconductance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤1.4Ω • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device perf 文件：338.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SPP03N60S5	文件：308.41 Kbytes Page：10 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance 文件：308.41 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP03N60C3	文件：599.57 Kbytes Page：14 Pages	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated 文件：599.57 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP03N60C3	文件：1.99914 Mbytes Page：14 Pages	COOL MOS POWER TRANSISTOR 文件：1.99914 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP03N60C3_07	文件：1.99914 Mbytes Page：14 Pages	COOL MOS POWER TRANSISTOR 文件：1.99914 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP03N60C3_09	文件：599.57 Kbytes Page：14 Pages	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated 文件：599.57 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP03N60S5	文件：251.72 Kbytes Page：10 Pages	Cool MOS??Power Transistor 文件：251.72 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

VDS max：
600.0V
RDS (on) max：
1400.0mΩ
Polarity ：
N
ID max：
3.2A
Ptot max：
38.0W
IDpuls max：
5.7A
VGS(th) min max：
3.5V 5.5V
QG ：
12.4nC
Rth ：
3.3K/W
RthJC max：
3.3K/W
RthJA max：
62.0K/W
Operating Temperature min：
-55.0°C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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