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SPP02N60C3	文件：338.47 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRIPTION • Ultra low gate charge • Ultra low effective capacitance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤3Ω • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：338.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SPP02N60C3	文件：282.69 Kbytes Page：12 Pages	Cool MOS Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances 文件：282.69 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP02N60S5	文件：306.41 Kbytes Page：10 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance 文件：306.41 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP02N60S5	文件：337.66 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRIPTION • Ultra low gate charge • Ultra low effective capacitance • Improved transconductance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤3Ω • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance an 文件：337.66 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SPP02N60S5	文件：1.09085 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：1.09085 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPP02N60C3	文件：462.48 Kbytes Page：12 Pages	COOL MOS POWER TRANSISTOR 文件：462.48 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP02N60C3	文件：462.48 Kbytes Page：12 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology 文件：462.48 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP02N60C3_07	文件：462.48 Kbytes Page：12 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology 文件：462.48 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP02N60C3_09	文件：462.48 Kbytes Page：12 Pages	COOL MOS POWER TRANSISTOR 文件：462.48 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP02N60S5	文件：357.04 Kbytes Page：10 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology 文件：357.04 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
TO-220
VDS max：
600.0V
RDS (on) max：
3000.0mΩ
Polarity ：
N
ID max：
1.8A
Ptot max：
25.0W
IDpuls max：
5.4A
VGS(th) min max：
2.1V 3.9V
QG ：
9.5nC
Rth ：
5.0K/W
RthJC max：
5.0K/W
RthJA max：
62.0K/W
Operating Temperature min：
-55.0°C

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