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OptiMOS Power-Transistor 文件:265.49 Kbytes 页数:8 Pages  | Infineon 英飞凌  | Infineon  | ||
OptiMOS Power-Transistor 文件:260.98 Kbytes 页数:8 Pages  | Infineon 英飞凌  | Infineon  | ||
OptiMOS Power-Transistor 文件:264.82 Kbytes 页数:8 Pages  | Infineon 英飞凌  | Infineon  | ||
OptiMOS Power-Transistor 文件:263.37 Kbytes 页数:8 Pages  | Infineon 英飞凌  | Infineon  | ||
OptiMOS Power-Transistor  | Infineon 英飞凌  | Infineon  | ||
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK  | Infineon 英飞凌  | Infineon  | ||
OptiMOS Power-Transistor  | Infineon 英飞凌  | Infineon  | 
详细参数
- 型号:
SPD30N06S2
 - 功能描述:
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
 - RoHS:
否
 - 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
 - 系列:
OptiMOS™
 - 标准包装:
1,000
 - 系列:
MESH OVERLAY™ FET
 - 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
 - 特点:
逻辑电平门
 - 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
 - C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
 - C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
 - Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
 - Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
 - Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
 - 最大:
40W
 - 安装类型:
通孔
 - 封装/外壳:
TO-220-3 整包
 - 供应商设备封装:
TO-220FP
 - 包装:
管件
 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON  | 
25+  | 
TO252  | 
18600  | 
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可  | 
询价 | ||
INFINEON/英飞凌  | 
24+  | 
SOT-252  | 
17246  | 
原装进口假一罚十  | 
询价 | ||
INFINEON  | 
23+  | 
TO252  | 
6996  | 
只做原装正品现货  | 
询价 | ||
INFINEON/英飞凌  | 
24+  | 
TO252-3  | 
20000  | 
只做原厂渠道 可追溯货源  | 
询价 | ||
INFINEON/英飞凌  | 
25+  | 
TO-252  | 
18000  | 
全新原装正品支持含税  | 
询价 | ||
INFINEON  | 
2016+  | 
TO252  | 
3000  | 
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!  | 
询价 | ||
INFINEON  | 
24+  | 
TO-252  | 
120  | 
询价 | |||
INFINEON  | 
24+  | 
TO252  | 
5000  | 
只做原装公司现货  | 
询价 | ||
INFINEON  | 
22+  | 
P-TO252-3-11  | 
18888  | 
原装现货库存.价格优势  | 
询价 | ||
INFINE0N  | 
23+  | 
TO-252  | 
11846  | 
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十  | 
询价 | 
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