首页 >SPD07N20>规格书列表

零件编号下载 订购功能描述/丝印制造商 上传企业LOGO

SPD07N20

SIPMOS Power Transistor

Features •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

SPD07N20

SIPMOS횘 Power Transistor Features N channel Enhancement mode Avalanche rated

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

SPD07N20G

N-Channel MOSFET Transistor

•DESCRITION •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.4Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

SPD07N20G

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SPD07N20_08

SIPMOS횘 Power Transistor Features N channel Enhancement mode Avalanche rated

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

SPD07N20G

SIPMOS횘 Power Transistor Features N channel Enhancement mode Avalanche rated

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

  • 型号:

    SPD07N20

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 200 V 7 A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
24+
TO-252
2500
只做原厂渠道 可追溯货源
询价
INFINEON
24+
TO-252
36800
询价
infineon
1415+
TO-252(DPAK)
28500
全新原装正品,优势热卖
询价
INTERNATIONA
24+
7860
原装现货假一罚十
询价
INFINEO
2020+
TO-252
742
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
INFINEON
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
询价
INFINEON
22+
P-TO252-3-1
16768
原装现货库存.价格优势
询价
INFINE0N
23+
TO-252
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
询价
INFINEON
24+
TO-252
90000
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理
询价
INFINEON
2017+
TO252-3
69000
原装正品,诚信经营
询价
更多SPD07N20供应商 更新时间2025-7-13 11:04:00