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06N80C3	文件：555.07 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
06N80C3	文件：681.15 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
ISPD06N80C3	文件：336.34 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.9Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISPP06N80C3	文件：339.2 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Highpeakcurrentcapability •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.9Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperforma	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPA06N80C3	文件：254.15 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPA06N80C3	文件：375.52 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTMPowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances •Fullyisolatedpackage(250	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPA06N80C3	文件：681.15 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPA06N80C3	文件：481.47 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTMPowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances •Fullyisolatedpackage(250	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD06N80C3	文件：336.34 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.9Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPD06N80C3	文件：631.46 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTMPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
SPD06N80C3NT
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	SPD06N80C3NT	INFINEON	23+		8000	只做原装现货	询价
瑞航达科技(深圳)有限公司	SPD06N80C3XT	INFINEON	1121		404	原装正品	询价
艾睿国际（香港）有限公司	SPD0718-1R0M	SUNLEI	2447	SMD	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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更多SPD06N80C3NT供应商更新时间2025-5-3 15:00:00

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