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SPC4N65G	文件：300 bytes Page：1 Pages	平面型VDMOS T2FET系列	Sinai 西奈	Sinai
SVF4N65AD	文件：1.07809 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.07809 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SVF4N65AT	文件：1.09027 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.09027 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SVF4N65D	文件：1.1635 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.1635 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

技术参数

VDS (min)：
650V
ID(max)：
4A
PD(max)：
22.7W
Vth (typ)：
3V
RDS(on)(typ)(@10V)：
1.95Ω
RDS(on)(max)(@10V)：
2.4Ω

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SPC4N65G供应商更新时间2025-11-4 11:01:00

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