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SPB80N06S2-07	文件：1.0572 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.0572 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPB80N06S2-08	文件：1.05712 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.05712 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPB80N06S2-08	文件：419.87 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：419.87 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPB80N06S2-09	文件：316.23 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：316.23 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPB80N06S2-09	文件：1.05695 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.05695 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPB80N06S2-H5	文件：308.14 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：308.14 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPB80N06S2L-05	文件：415.78 Kbytes Page：8 Pages	丝印：2N06L05；Package：TO-263-3；OptiMOS Power-Transistor 文件：415.78 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
SPB80N06S2
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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