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SPP11N80C3	文件：398.14 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances CoolMOSTM800Vdesignedfor:	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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SPP11N80C3	文件：318.25 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •Ultraloweffectivecapacitances •Lowgatecharge •Improvedtransconductance •Lowgatedrivepowerloss •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPW11N80C3	文件：242.95 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSPowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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详细参数

型号：
SPB11N80C3
功能描述：
MOSFET POWER MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昂芯微科技有限公司	SPB11N80C3	INFINEON	23+	TO220F	6996	只做原装正品现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	SPB11N80C3	INFINEON	23+	TO220F	8000	只做原装现货	询价
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