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LS8J4M-T	文件：166.98 Kbytes Page：1 Pages	Non-illuminated/VerticalType Features 1.Thecompactformoftheseswitchesenableshighlayoutflexibilityandeasysetdesign. 2.Reflowsolderingispossibleusingareflowfurnace Application LUMISWITCH,LS8series,canbeusedasafunctioncontrolswitchinthefollowingapplications. TV,VCR,audioeq	CITIZEN Citizen Electronics Co., Ltd	CITIZEN
QS8J4	文件：345.52 Kbytes Page：6 Pages	4VDrivePchPchMOSFET ■MOSFETs ●SmallSignalMOSFETSeries ●MiddlePowerMOSFETSeries ●PowerMOSFETSeries ■SelectorGuideforAutomotiveMOSFETs(AEC-Q101) ■BipolarTransistors(Surfacemounttype) ■TransistorArray ■ComplexBipolarTransistors ■DigitalTransistors ■ComplexDigitalTransis	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
QS8J4FRA	文件：1.47932 Mbytes Page：14 Pages	MiddlePowerMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
QS8J4HZG	文件：2.48927 Mbytes Page：15 Pages	-30VPchPchSmallSignalMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SP8J4	文件：66.24 Kbytes Page：5 Pages	Switching(−30V,−2.0A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
SP8J4TB
功能描述：
MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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