副边控制六级能效恒压系列产品

SP6618HP是一颗电流模式PWM控制芯片，内置650V高压功率MOSFET，应用于功率在18W以内的方案。SP6618HP在PWM模式下工作于固定开关频率，这个频率是由内部精确设定。在空载或者轻载时，工作频率由IC内部调整。芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率。SP6618HP在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个很大的电阻，以此来进一步减小待机时的功耗。芯片内置有斜坡补偿电路，当电路工作于大占空比时，避免次谐波振荡的发生，改善系统的稳定性。内置有前沿消隐时（Leading-edge blanking time），消除缓冲网络中的二极管反向恢 • 全电压范围（90V-265V）输入时待机功耗小于100mW\n• 内置650V高压功率管\n• 4ms软启动用来减少MOSFET上Vds的应力\n• 抖频功能，改善EMI性能\n• 跳频模式，改善轻载效率，减小待机功耗\n• 无噪声工作\n• 固定65KHz开关频率\n• 内置同步斜坡补偿\n• 低启动电流，低工作电流\n• 内置前沿消隐(LEB)功能\n• 过载保护（OLP），逐周期限流保护（OCP）\n• VDD过压保护（VDD OVP），欠压保护（UVLO），VDD电压箝位\n• 输出过压保护（VOUT OVP）\n• 过温保护（OTP）\n• DIP8无铅封装;

Si-Power

硅动力

N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET

文件：384.86 Kbytes 页数：4 Pages

SECOS

喜可士

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：286.13 Kbytes 页数：4 Pages

SECOS

喜可士

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET

文件：154.41 Kbytes 页数：6 Pages

SSC

Silicon Standard Corp.