副边控制六级能效恒压系列产品

SP6604PS是一颗电流模式PWM控制芯片，内置功率MOSFET。\n\n       SP6604PS在PWM模式下工作于固定频率，这个频率是由内部精确设定的。在空载或者轻载时，工作频率由IC内部调整。芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率，SP6604PS在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个很大的电阻，以此来进一步减小待机时的功耗。芯片内置有斜坡补偿电路，当电路工作于大占空比时，避免次谐波振荡的发生，改善系统的稳定性。内置有前沿消隐时（Leading-edge blanking time），消除缓冲网络中的二极管反向恢复电流对电路的影响。S • 全电压范围（90V-265V）输入时待机功耗小于100mW\n• 4ms软启动用来减少MOSFET上Vds的应力\n• 跳频模式，改善轻载效率，减小待机功耗\n• 固定55KHz开关频率\n• 低启动电流，低工作电流\n• 过载保护（OLP），逐周期限流保护（OCP）\n• 过温保护（OTP）\n• DIP7无铅封装;

Si-Power

硅动力

N & P Pair Enhancement Mode MOSFET

文件：263.88 Kbytes 页数：11 Pages

SYNC-POWER

擎力科技

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )

RODUCT SUMMARY (N-Channel) VDSS ID RDS(ON) (mΩ) Max 20 4A 75 @ VGS=2.5V 60 @ VGS=4.5V PRODUCT SUMMARY (P-Channel) VDSS ID RDS(ON) (mΩ) Max -20V -2.5A 190 @ VGS=-2.5V 138 @ VGS=-4.5V

文件：244.83 Kbytes 页数：11 Pages

Samhop

三合微科

N- and P-Channel 20V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件：613.88 Kbytes 页数：10 Pages

VBSEMI

微碧半导体