同步整流

SP6516F是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路。在低压大电流开关电源应用中，轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。芯片可支持高达150KHz的开关频率应用，并且支持CCM / QR / DCM等开关电源工作模式应用，其极低导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗，极大提高了系统的转换效率，大幅降低了整流器件的温度。\n\n        芯片内置耐压60V的NMOSFET同步整流开关，且具有极低的内阻，可提供系统高达3A的应用输出；还内置了高压直接检测技术，耐压高达150V；以及自供电技术极大扩展了输出电压应用范围。 • 支持开关电源CCM/QR/DCM模式\n• 极佳的3.3V-12V快充自供电同步整流应用\n• 内置MOS耐压达60V\n• 较传统肖特基提升效率2~6%\n• 静态工作电流可低至600μA\n• 支持开关电源频率最高至150KHz\n• SOP8封装形式;

Si-Power

硅动力

同步整流

SP6516FA是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路。在低压大电流开关电源应用中，轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。芯片可支持高达150KHz的开关频率应用，并且支持CCM / QR / DCM等开关电源工作模式应用，其极低导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗，极大提高了系统的转换效率，大幅降低了整流器件的温度。\n\n        芯片内置耐压60V的NMOSFET同步整流开关，且具有极低的内阻，典型RdsON低至5mΩ，可提供系统高达4A的应用输出；还内置了高压直接检测技术，耐压高达150V；以及自供电技术极大扩展了输出电压应用范围。 • 支持开关电源CCM/QR/DCM模式\n• 极佳的3.3V-12V快充自供电同步整流应用\n• 内置MOS耐压达60V\n• 内置MOS的导通电阻最低至5mΩ\n• 较传统肖特基提升效率2~6%\n• 静态工作电流可低至600μA\n• 支持开关电源频率最高至150KHz\n• SOP8封装形式;

Si-Power

硅动力

同步整流

SP6516T是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路。在低压大电流开关电源应用中，轻松满足6级能效，是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。芯片可支持高达150kHz的开关频率应用，并且支持CCM / QR / DCM等开关电源工作模式应用，其极低导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗，极大提高了系统的转换效率，大幅降低了整流器件的温度。\n\n        芯片内置耐压60V的NMOSFET同步整流开关，且具有极低的内阻，典型RdsON低至5mΩ，可提供系统高达5A的应用输出；还内置了高压直接检测技术，耐压高达150V；以及自供电技术极大扩展了输出电压应用范围。 • 支持开关电源CCM/QR/DCM模式\n• 内置MOS耐压达60V\n• 较传统肖特基提升效率2~6%\n• 支持开关电源频率最高至150KHz\n• TO-220AB封装形式;

Si-Power

硅动力

SURFACE MOUNT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

文件：73.52 Kbytes 页数：4 Pages

EIC

SURFACE MOUNT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

文件：78.26 Kbytes 页数：4 Pages

EIC

SMPS PRIMARY IC

The Series STR-F6600 is specifically designed to satisfy the requirements for increased integration and reliability in off-line quasi-resonant flyback converters. The series incorporates a primary control and drive circuit with discrete avalanche-rated power MOSFETs. Covering the power range from

文件：191.18 Kbytes 页数：4 Pages

Sanken

三垦