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SMMBFJ310LT3G分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
SMMBFJ310LT3G |
| 参数属性 | SMMBFJ310LT3G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 |
| 功能描述 | JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
126.88 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
| 人工找货 | SMMBFJ310LT3G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SMMBFJ310LT3G规格书详情
SMMBFJ310LT3G属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由安森美半导体公司制造生产的SMMBFJ310LT3G晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
JFET − VHF/UHF Amplifier Transistor
特性 Features
• Pb−Free Packages are Available
产品属性
更多- 产品编号：
SMMBFJ310LT3G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
N 通道 JFET
- 增益：
12dB
- 额定电流（安培）：
60mA
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
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ON/安森美 |
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