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SMFJ58A

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR DIODE

Forsurfacemountedapplications Lowprofilepackage clampingcapability cycle):0.01 Hightemperaturesolderingguaranteed: 260℃/10seconds,atterminals 200Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μ Features Lowincrementalsurgeresistance,excellent s wavefrom,repetitionrate

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

SMFJ58A

瞬态抑制二极管; 快速响应时间内置应变消除增量浪涌电阻低Matte锡无铅镀层无卤素,符合RoHS标准适用于表面贴装应用,以优化电路板空间兼容工业标准包装DO-214AB200W峰值脉冲功率能力,波形为10 /1000μs,重复率(占空比):0.01%高温焊接:端子处260°C / 10秒;

SMFJ系列采用SOD-123FL表面贴装的封装,专门用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的瞬态电压影响。 与SMA封装相比,SOD-123FL封装的占位面积减小了50%,并且在业界提供低高度(1.1mm)。

RUILONRUILONGYUAN ELECTRONICS

瑞隆源深圳市瑞隆源电子有限公司

SMFJ58A

200W 58V TVS transient suppressor diode

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

PDF上传者:深圳冠荣电子有限公司

SMFJ58A

Transient Voltage Suppressors

RUILONRUILONGYUAN ELECTRONICS

瑞隆源深圳市瑞隆源电子有限公司

SMFJ58A

TVS;

SALLTECHJiangxi Salltech Microelectronis Technology Co.,Ltd

萨瑞微电子江西萨瑞微电子技术有限公司

SMFJ58A

瞬态抑制二极管;

BORNSEMIBourns Electronic Solutions

伯恩斯

技术参数

  • Vrwm(V):

    58

  • Vbr.min(V):

    64.4

  • Vbr.max(V):

    71.2

  • It(mA):

    1

  • Vc(V):

    93.6

  • Ipp(A):

    2.1

  • Ir(µA):

    5

  • Package:

    SOD123FL

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BORN(伯恩半导体)
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更多SMFJ58A供应商 更新时间2025-7-28 16:23:00