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SMFJ18A

200W Surface Mount Transinet Voltage Suppression

Features Peak power disspation 200W@10 x 1000 us Pluse | Low incremental surge resistance Excellent clamping capability Glass passivated junction Fast response time Low leakage current | Halogen free and RoHS compliant

文件:6.00272 Mbytes 页数:4 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

SMFJ18A

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR DIODE

For surface mounted applications Low profile package clamping capability cycle):0.01% High temperature soldering guaranteed: 260 ℃/10 seconds, at terminals 200W peak pulse power capability wi t h a 10/1000 μ Features Low incremental surge resistance, excellent s wave from,repetition

文件:1.99721 Mbytes 页数:3 Pages

SUNMATE

森美特

SMFJ18A

200W 18V TVS transient suppressor diode

文件:733.79 Kbytes 页数:3 Pages

SUNMATE

森美特

PDF上传者:深圳冠荣电子有限公司

SMFJ18A

Transient Voltage Suppressors

文件:900.51 Kbytes 页数:7 Pages

RUILONRUILONGYUAN ELECTRONICS

瑞隆源深圳市瑞隆源电子有限公司

SMFJ18A

瞬态抑制二极管

SMFJ系列采用SOD-123FL表面贴装的封装,专门用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的瞬态电压影响。 与SMA封装相比,SOD-123FL封装的占位面积减小了50%,并且在业界提供低高度(1.1mm)。 快速响应时间内置应变消除增量浪涌电阻低Matte锡无铅镀层无卤素,符合RoHS标准适用于表面贴装应用,以优化电路板空间兼容工业标准包装DO-214AB200W峰值脉冲功率能力,波形为10 /1000μs,重复率(占空比):0.01%高温焊接:端子处260°C / 10秒;

RUILON

瑞隆源

SMFJ18A

瞬态抑制二极管

BORNSEMI

伯恩斯

SMFJ18A

瞬态抑制二极管/TVS

Sursemi

仕芯微

Sursemi

技术参数

  • Vrwm(V):

    18

  • Vbr.min(V):

    20

  • Vbr.max(V):

    22.1

  • It(mA):

    1

  • Vc(V):

    29.2

  • Ipp(A):

    6.8

  • Ir(µA):

    5

  • Package:

    SOD123FL

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更多SMFJ18A供应商 更新时间2025-10-4 14:03:00