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SMBTA64E6327数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

SMBTA64E6327

参数属性

SMBTA64E6327 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23

功能描述

TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23
TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 10:50:00

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SMBTA64E6327规格书详情

简介

SMBTA64E6327属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的SMBTA64E6327晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :SMBTA64E6327

  • 生产厂家

    :Infineon

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :500mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :30V

  • 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)

    :1.5V @ 100µA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值)

    :100nA(ICBO)

  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)

    :20000 @ 100mA,5V

  • 功率 - 最大值

    :330mW

  • 频率 - 跃迁

    :125MHz

  • 工作温度

    :150°C(TJ)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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