SM8S33AHE3_A/I_电路保护 TVS-二极管汽车级-Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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  • 厂家型号:

    SM8S33AHE3_A/I

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 库存数量:

    4467

  • 类别:

    电路保护 TVS-二极管

  • 封装外壳:

    DO-218AB

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 更新时间:

    2024-5-23 18:40:00

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原厂料号:SM8S33AHE3_A/I品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

资料说明:TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB

SM8S33AHE3_A/I是电路保护 > TVS - 二极管。制造商Vishay General Semiconductor - Diodes Division生产封装DO-218AB的SM8S33AHE3_A/ITVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。

  • 芯片型号:

    sm8s33ahe3_a/i

  • 规格书:

    原厂下载 下载

  • 资料说明:

    TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    SM8S33AHE3_A/I

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, PAR®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    33V

  • 电压 - 击穿(最小值):

    36.7V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    53.3V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    124A

  • 功率 - 峰值脉冲:

    6600W(6.6kW)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    汽车级

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-218AB

  • 供应商器件封装:

    DO-218AB

  • 描述:

    TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB

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