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SLM2003S

200V低压驱动芯片

SLM2003S 是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集成电路和锁存免疫的CMOS技术可提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,以减小驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压可高达200V。 • 为自举操作设计的浮动通道\n\n• 完全运行时电压高达 200V\n\n• 容许瞬间负电压,不受 dV/dt 影响\n\n• 驱动电源范围从 10V 到 20V\n\n• 欠压闭锁\n\n• 3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容\n\n• 驱动电流 :290 mA/600 mA\n\n• 防止交叉导通逻辑\n\n• 两通道间匹配传输延迟\n\n• 通过无铅认证\n\n• 提供 SOP-8 封装选项\n\n• 典型的开通/关断延时:680 ns/150 ns\n\n• 死区时间:520 ns;

Sillumin

数明半导体

SOGC2003KF

Thick Film Resistor Networks, Dual-In-Line Small Outline Molded Dip, 01, 03, 05 Schematics

文件:120.41 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SOGC2003KG

Thick Film Resistor Networks, Dual-In-Line Small Outline Molded Dip, 01, 03, 05 Schematics

文件:120.41 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SOGC2003KJ

Thick Film Resistor Networks, Dual-In-Line Small Outline Molded Dip, 01, 03, 05 Schematics

文件:120.41 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

技术参数

  • Number of Outputs:

    2

  • V:

    200

  • mA:

    290/600

  • ns:

    520

  • t on/off ns:

    680/150

  • Delay Matching ns:

    60

  • Package:

    SOP8

  • Packing Qty.:

    Reel

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数明半导体
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