SL80N10说明书PDF资料供应代理英飞凌IXYS-114ic电子网

首页 >SL80N10>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
80N10	文件：974.83 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
80N10L	文件：1.92016 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)175째CMOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CMaximumJunctionTemperature •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
BR80N10	文件：1.6474 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
BR80N10	文件：1.06093 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BRB80N10	文件：887.74 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-263PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
DTP80N10	文件：1.75176 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
HMS80N10KA	文件：920.81 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IXFC80N10	文件：323.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=12.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFC80N10	文件：70.75 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETTMMOSFETISOPLUS220 HiPerFET™MOSFETISOPLUS220™ ElectricallyIsolatedBackSurface Features ●SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ●Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH80N10	文件：93.07 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=12.5mΩ trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt Features Internationalstandardpackages LowRDS(on) RatedforunclampedInductiveloadswitching(UIS) MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilit	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH80N10	文件：371.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=12.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH80N10Q	文件：372.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=15mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH80N10Q	文件：55.78 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=15mΩ trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,HighdV/dt LowGateChargeandCapacitances Features •IXYSadvancedlowgatechargeprocess •Internationalstandardpackages •Lowgatechargeandcapacitance -ea	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFT80N10	文件：93.07 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=12.5mΩ trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt Features Internationalstandardpackages LowRDS(on) RatedforunclampedInductiveloadswitching(UIS) MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilit	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFT80N10Q	文件：55.78 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=15mΩ trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,HighdV/dt LowGateChargeandCapacitances Features •IXYSadvancedlowgatechargeprocess •Internationalstandardpackages •Lowgatechargeandcapacitance -ea	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTA80N10T	文件：294.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA80N10T	文件：190.48 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFET VDSS=100V ID25=80A RDS(on)≤14mΩ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages 175°COperatingTemperature AvalancheRated HighCurrentHandlingCapability FastIntrinsicDiode LowRDS(on)	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTP80N10T	文件：190.48 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFET VDSS=100V ID25=80A RDS(on)≤14mΩ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages 175°COperatingTemperature AvalancheRated HighCurrentHandlingCapability FastIntrinsicDiode LowRDS(on)	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTP80N10T	文件：245.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
JCS80N10CF-O-C-N-B	文件：619.33 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC

12 >>>

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华康联电子科技有限公司	SL80N10	Slkor(萨科微)	22+	TO-220	5000	官网一级代理，公司现货放心采购	询价
艾睿国际（香港）有限公司	SL80N10	Slkor(萨科微)	2112+	TO-220	105000	50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	SL80N10	SLKOR/萨科微		TO-220	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	SL80N10	SLKOR萨科微	23+	TO-220	22820	原装正品，支持实单	询价
深圳市纳睿斯电子科技有限公司	SL80N10	SLKOR/萨科微			30000	原装现货,全系列可订货	询价
深圳市德力诚信科技有限公司	SL80N10	SLKOR(萨科微)	23+	NA	100	现货!就到京北通宇商城	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	SL8100		23+	N/A	36000	正品授权货源可靠	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	SL8100	华梦	23+	SOT23-6	10	绝对原装正品现货假一赔十	询价
深圳市芯纬度科技有限公司	SL810C-220KNP	TOKYO	#N/A	DNA	3777	公司现货,有挂就有货。	询价
深圳市惊羽科技有限公司	SL810C3R3M-R	TDK-东电化	24+25+/26+27+	车规-被动器件	76800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价

更多SL80N10供应商更新时间2024-5-9 8:20:00

相关规格书

相关库存