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IXFN180N06	文件：188.46 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFR180N06	文件：82.94 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETTMPowerMOSFETs	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFR180N06	文件：330.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SW180N06A	文件：754.39 Kbytes Page：5 Pages	N-channelTO-220MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER

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