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SKB15	文件：419.56 Kbytes Page：3 Pages	Power Bridge Rectifiers * Square plastic case with screw terminals * Blocking voltage up to 1600V * Metal baseplate for improved heat transfer. 文件：419.56 Kbytes 页数：3 Pages	Semikron 赛米控丹佛斯	Semikron
SKB15	文件：408.25 Kbytes Page：3 Pages	Power Bridge Rectifiers 文件：408.25 Kbytes 页数：3 Pages	Semikron 赛米控丹佛斯	Semikron
SKB1502A2	文件：419.56 Kbytes Page：3 Pages	Power Bridge Rectifiers * Square plastic case with screw terminals * Blocking voltage up to 1600V * Metal baseplate for improved heat transfer. 文件：419.56 Kbytes 页数：3 Pages	Semikron 赛米控丹佛斯	Semikron
SKB1504A2	文件：419.56 Kbytes Page：3 Pages	Power Bridge Rectifiers * Square plastic case with screw terminals * Blocking voltage up to 1600V * Metal baseplate for improved heat transfer. 文件：419.56 Kbytes 页数：3 Pages	Semikron 赛米控丹佛斯	Semikron
SKB1508A2	文件：419.56 Kbytes Page：3 Pages	Power Bridge Rectifiers * Square plastic case with screw terminals * Blocking voltage up to 1600V * Metal baseplate for improved heat transfer. 文件：419.56 Kbytes 页数：3 Pages	Semikron 赛米控丹佛斯	Semikron
SKB1512A2	文件：419.56 Kbytes Page：3 Pages	Power Bridge Rectifiers * Square plastic case with screw terminals * Blocking voltage up to 1600V * Metal baseplate for improved heat transfer. 文件：419.56 Kbytes 页数：3 Pages	Semikron 赛米控丹佛斯	Semikron
SKB1514A2	文件：419.56 Kbytes Page：3 Pages	Power Bridge Rectifiers * Square plastic case with screw terminals * Blocking voltage up to 1600V * Metal baseplate for improved heat transfer. 文件：419.56 Kbytes 页数：3 Pages	Semikron 赛米控丹佛斯	Semikron
SKB1516A2	文件：419.56 Kbytes Page：3 Pages	Power Bridge Rectifiers * Square plastic case with screw terminals * Blocking voltage up to 1600V * Metal baseplate for improved heat transfer. 文件：419.56 Kbytes 页数：3 Pages	Semikron 赛米控丹佛斯	Semikron
SKB15N60	文件：450.21 Kbytes Page：14 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications o 文件：450.21 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SKB15N60HS	文件：348.75 Kbytes Page：14 Pages	High Speed IGBT in NPT-technology • 30 lower Eoff compared to previous generation • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for operation above 30 kHz • NPT-Technology for 600V applications offers: - parallel switching capability - moderate Eoff increase with temperature - very tight parameter distribution 文件：348.75 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Switching Frequency min max：
10.0kHz 40.0kHz
Package ：
D2PAK (TO-263)
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
15.0A
IC(@25°) max：
31.0A
ICpuls max：
62.0A
Ptot max：
139.0W
VCE(sat) ：
2.3V
Eon ：
0.45mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.41mJ
td(on) ：
31.0ns
tr ：
23.0ns
td(off) ：
261.0ns
tf ：
54.0ns
QGate ：
76.0nC
IF max：
31.0A
IFpuls max：
62.0A
VF ：
1.4V
Qrr ：
390.0nC
Irrm ：
5.0A
VCE max：
600.0V

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