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SJD127T4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SJD127T4G-VF01	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD127T4	文件：284.04 Kbytes Page：8 Pages	SILICONPOWERTRANSISTORS8AMPERES100VOLTS20WATT Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“–1”Suffix) •LeadFormedVersionAvailablein16mmTapeandReel(“T4”Suffix) •Sur	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MJD127T4	文件：91.56 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJD122andMJD127formcomplementaryNPN-PNPpair.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES ■LOWBASE-DRIVEREQUIREMENTS ■INTEGRATEDANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTERDIODE ■THROUGHHOLET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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MJD127T4	文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD127T4	文件：136.31 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD127T4G	文件：136.31 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD127T4G	文件：87.53 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD127T4G	文件：106.5 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD127T4G	文件：106.5 Kbytes Page：8 Pages	ComplementaryDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
SJD127T4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
描述：
TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK

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