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SISS30ADN

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM) • Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Synchronous rectification • Prim

文件:309.81 Kbytes 页数:9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SiSS30ADN

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET

Vishay

威世科技

SISS32DN-T1-GE3

VISHAY
PPAK1212-8S

VishayVishay Siliconix

威世科技

上传:深圳市长旗科技有限公司

SIT1050T

芯力特
sop8

芯力特

SIT1533AI-H4-DCC-32.768E

SITIME/赛特时脉
SMD

SITIME/赛特时脉

上传:深圳市瑞卓芯科技有限公司

SITIME/赛特时脉

技术参数

  • Package:

    PowerPAK 1212-8S

  • Ch:

    N

  • VDS (V):

    80

  • VGS (V):

    20

  • RDS(on)@7.5V (Ω):

    0.0105

  • RDS(on)@10V (Ω):

    0.0089

  • Qg @10V (nC):

    19.5

  • Qgs (nC):

    6.2

  • Qgd (nC):

    3.4

  • ID Max. (A):

    54.7

  • PD Max. (W):

    57

  • VGS(th) Min. (V):

    2

  • Rg Typ. (Ω):

    0.8

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更多SISS30ADN供应商 更新时间2025-10-6 8:14:00