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SiSD4604DN

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

• TrenchFET® Gen IV power MOSFET\n• Source flip technology, enhance thermal performance\n\n\n\n\n;

Vishay

威世

SiSD5806DN

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET

• TrenchFET® Gen V power MOSFET\n• Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)\n• Source flip technology, enhance thermal performance;

Vishay

威世

SISD0600ED120i21

ED-type phase leg IGBT module

SUNKING

赛晶

SUNKING

SISS27ADN-T1-GE3

PowerPAK

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市森泰鸿科技有限公司

SISS32DN-T1-GE3

PPAK1212-8S

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市长旗科技有限公司

技术参数

  • Package:

    PowerPAK 1212-F

  • Ch:

    N

  • VDS (V):

    60

  • VGS (V):

    20

  • RDS(on)@7.5V (Ω):

    0.0048

  • RDS(on)@10V (Ω):

    0.0039

  • Qgs (nC):

    9.2

  • Qgd (nC):

    5.5

  • ID Max. (A):

    85

  • PD Max. (W):

    57

  • VGS(th) Min. (V):

    2

  • Rg Typ. (Ω):

    0.6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
KODENSHI
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全新原装鄙视假货
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PowerPAK1212-8SCD
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更多SISD供应商 更新时间2025-11-4 10:01:00