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SIS435DNT	文件：184.23 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIS435DNT_V01	文件：213.01 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SP435W	文件：98.9 Kbytes Page：7 Pages	DualOPAMPwithVoltageRegulator	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司	SYNC-POWER
STA435	文件：22.56 Kbytes Page：1 Pages	NPNDarlingtonWithbuilt-inavalanchediode NPNDarlingtonWithbuilt-inavalanchediode	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
STA435A	文件：22.56 Kbytes Page：1 Pages	NPNDarlingtonWithbuilt-inavalanchediode NPNDarlingtonWithbuilt-inavalanchediode	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
STK435	文件：134.44 Kbytes Page：1 Pages	THICKFILMHYBRIDIC Features ©IMST,2Channelsby1PowerSupply. Smallshocknoisebecauseofdirectcouplingemitterfeedbacked. STK-433-105,435-105,436-105and441-105arefortheuseofTc=105°C	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
STK-435	文件：134.44 Kbytes Page：1 Pages	THICKFILMHYBRIDIC Features ©IMST,2Channelsby1PowerSupply. Smallshocknoisebecauseofdirectcouplingemitterfeedbacked. STK-433-105,435-105,436-105and441-105arefortheuseofTc=105°C	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
STK435-XXX	文件：134.44 Kbytes Page：1 Pages	THICKFILMHYBRIDIC Features ©IMST,2Channelsby1PowerSupply. Smallshocknoisebecauseofdirectcouplingemitterfeedbacked. STK-433-105,435-105,436-105and441-105arefortheuseofTc=105°C	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
STUD435S	文件：116.19 Kbytes Page：8 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SW435	文件：485.59 Kbytes Page：1 Pages	ConstantCurrent(Amp)andConstantPower(Watt)DischargeTableat25??77??	SUNNYWAYShenzhen Sunnyway Battery Tech Co.Ltd. 三威电源深圳市三威电源科技有限公司	SUNNYWAY
T435-B	文件：119.49 Kbytes Page：10 Pages	4ATRIACS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
T435-H	文件：119.49 Kbytes Page：10 Pages	4ATRIACS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
T435-T	文件：119.49 Kbytes Page：10 Pages	4ATRIACS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
T435-W	文件：119.49 Kbytes Page：10 Pages	4ATRIACS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
T435-XXX	文件：118 Kbytes Page：8 Pages	4ATRIACS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
T435-XXXB	文件：118 Kbytes Page：8 Pages	4ATRIACS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
T435-XXXB	文件：115.85 Kbytes Page：10 Pages	T4Series4ATRIACS SNUBBERLESS™&LOGICLEVEL DESCRIPTION BasedonST’sSnubberless/Logicleveltechnologyprovidinghighcommutationperformances, theT4seriesissuitableforuseonACinductiveloads. Theyarerecommendedforapplicationsusinguniversalmotors,electrovalves....suchaskitc	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
T435-XXXB	文件：491.25 Kbytes Page：15 Pages	4ATriacs Features ThreequadrantsTriac 600to800VVDRM/VRRM Applications GeneralpurposeACinductiveloads Motorcontrolcircuits Smallhomeappliances Description BasedonST’sSnubberless/logiclevel technologyprovidinghighcommutation performances,theT4seriesissuitablef	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
T435-XXXB-TR	文件：491.25 Kbytes Page：15 Pages	4ATriacs Features ThreequadrantsTriac 600to800VVDRM/VRRM Applications GeneralpurposeACinductiveloads Motorcontrolcircuits Smallhomeappliances Description BasedonST’sSnubberless/logiclevel technologyprovidinghighcommutation performances,theT4seriesissuitablef	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
T435-XXXB-TR	文件：115.85 Kbytes Page：10 Pages	T4Series4ATRIACS SNUBBERLESS™&LOGICLEVEL DESCRIPTION BasedonST’sSnubberless/Logicleveltechnologyprovidinghighcommutationperformances, theT4seriesissuitableforuseonACinductiveloads. Theyarerecommendedforapplicationsusinguniversalmotors,electrovalves....suchaskitc	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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详细参数

型号：
SIS435DNT
功能描述：
MOSFET 20V .0054ohm@4.5V 30A P-Ch G-III
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SIS435DNT供应商更新时间2024-9-24 14:15:00

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