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SIR640DP-T1-GE3中文资料威世科技数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
SIR640DP-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 40V 1.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
100 |
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VISHAY |
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VSHAY |
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VISHAY/威世 |
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NA |
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VISHAY |
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VISHAY |
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PAKSO-8 |
10000 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
PAKSO-8 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
QFN-8 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
QFN-8 |
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原装现货假一赔十 |
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