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SIHP28N60EF	文件：173.59 Kbytes Page：8 Pages	EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES •FastbodydiodeMOSFETusingEseries technology •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM):RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP28N60EF	文件：329.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHP28N60EF	文件：293.63 Kbytes Page：8 Pages	EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP28N60EF_V01	文件：173.59 Kbytes Page：8 Pages	EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES •FastbodydiodeMOSFETusingEseries technology •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM):RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
FIR28N60ANG	文件：3.27432 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
IXFK28N60	文件：328.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=28A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK28N60	文件：70.95 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Avalancheenergyandcurrentrated •	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFQ28N60	文件：312.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=28A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=260mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXGH28N60B	文件：596.36 Kbytes Page：5 Pages	LowVIGBT Features ●Internationalstandardpackages ●LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchoppers ●Uninterruptiblepowersup	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT28N60B	文件：596.36 Kbytes Page：5 Pages	LowVIGBT Features ●Internationalstandardpackages ●LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchoppers ●Uninterruptiblepowersup	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
SIHB28N60EF	文件：216.55 Kbytes Page：9 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF28N60EF	文件：171.99 Kbytes Page：8 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF28N60EF	文件：320.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHF28N60EF	文件：174.59 Kbytes Page：9 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode FEATURES •FastbodydiodeMOSFETusingEseries technology •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM):RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG28N60EF	文件：177.64 Kbytes Page：9 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG28N60EF	文件：445.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHG28N60EF	文件：219.92 Kbytes Page：10 Pages	EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode FEATURES •FastbodydiodeMOSFETusingEseries technology •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM):RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHH28N60E	文件：161.99 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Completelylead(Pb)-freedevice •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Kelvinconnectionforreducedgatenoise •Materialcategorization:forde	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHH28N60E	文件：179.19 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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