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SIHLU120-E3	文件：613.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHLU120-E3	文件：1.05691 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
B120-E3	文件：86.98 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifier FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •Materialcategorization:Fordefiniti	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
B120-E3	文件：130.87 Kbytes Page：4 Pages	Surface-MountSchottkyBarrierRectifier FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C •Materialcategorization:fordefinit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MUR120-E3	文件：71.54 Kbytes Page：4 Pages	Lowforwardvoltagedrop FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Ultrafastreverserecoverytime •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •Solderdip260°C,40s •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC T	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHFR120-E3	文件：4.22483 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR120-E3	文件：1.70201 Mbytes Page：8 Pages	IRFR120 DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHFU120-E3	文件：1.70201 Mbytes Page：8 Pages	IRFR120 DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHFU120-E3	文件：4.22483 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFU120-E3	文件：1.05695 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SIHLD120-E3	文件：1.5864 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHLR120-E3	文件：613.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
SIHLU120-E3
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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