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SIGC06T60E

IGBT 裸片

我们的 TRENCHSTOP™ IGBT 结合了独特的沟槽和场截止技术,是行业的标杆 • 低关断损耗\n• 短尾电流\n• 正温度系数\n• 易于并联;

Infineon

英飞凌

SIGC06T60E

600V trench & field stop technology

文件:290.13 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

SIGC06T60G

IGBT3 Chip

文件:75.89 Kbytes 页数:4 Pages

Infineon

英飞凌

SIGC06T60G

IGBT3 Chip

文件:76.47 Kbytes 页数:4 Pages

Infineon

英飞凌

SIGC06T60GE

600V trench & field stop technology

文件:287.06 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

技术参数

  • VCE(sat)max:

    1.9 V

  • VCEmax:

    600 V

  • VDSmax:

    600 V

  • VGE(th):

    5 V to 6.5 V

  • Operating Temperature:

    -40 °C to 175 °C

  • Technology:

    IGBT3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
23+
8000
只做原装现货
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INFINEON
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INFINEON/英飞凌
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更多SIGC06T60E供应商 更新时间2025-10-4 15:01:00