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SIGC04T65E

TRENCHSTOPTM IGBT3 Chip

Features:  650V trench & field stop technology  Low VCEsat  Low turn-off losses  Short tail current  Positive temperature coefficient  Easy paralleling

文件:333.07 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

SIGC04T65E

IGBT 裸片

我们的 TRENCHSTOP™ IGBT 结合了独特的沟槽和场截止技术,是行业的标杆 • 低关断损耗\n • 短尾电流\n • 正温度系数\n • 易于并联;

Infineon

英飞凌

SIHG16N50C-E3

VISHY
TO-247

VISHY

SIHG22N60E-GE3

VISHAY/威世
TO-247

VISHAY/威世

SIHP068N60EF-GE3

VISHAY
TO-22

VishayVishay Siliconix

威世科技

上传:深圳市中广亿科技发展有限公司

技术参数

  • VCE(sat)max:

    1.87 V

  • VCEmax:

    650 V

  • VDSmax:

    650 V

  • VGE(th):

    5.1 V to 6.5 V

  • Operating Temperature:

    -40 °C to 175 °C

  • Technology:

    IGBT3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
23+
8000
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INFINEON
23+
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INFINEON/英飞凌
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英飞凌MOS管、IGBT大量有货
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INFINEON/英飞凌
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更多SIGC04T65E供应商 更新时间2025-10-4 15:01:00