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UPA854TD	文件：351.49 Kbytes Page：35 Pages	NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5435,2SC5745) Q1:Highgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,½S21e½2=8.5dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Lowphasedi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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GENERALGeneral Cable Technologies Corporation

通用电气公司美国通用电气公司

GENERAL

UPA854TD

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NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5435,2SC5745) Q1:Highgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,½S21e½2=8.5dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Lowphasedi

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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详细参数

型号：
SIE854DF
功能描述：
MOSFET 100V 64A 125W 14.2mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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