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SIC639ACD-T1-GE3集成电路(IC)的全半桥驱动器规格书PDF中文资料

SIC639ACD-T1-GE3
厂商型号

SIC639ACD-T1-GE3

参数属性

SIC639ACD-T1-GE3 封装/外壳为PowerPAK® MLP55-31L;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的全半桥驱动器;SIC639ACD-T1-GE3应用范围:同步降压转换器;产品描述:INTEGRATED POWER STAGE POWERPAK

功能描述

50 A VRPower짰 Integrated Power Stage
INTEGRATED POWER STAGE POWERPAK

丝印标识

SiC639A

封装外壳

MLP55-31L / PowerPAK® MLP55-31L

文件大小

345.42 Kbytes

页面数量

18

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

VISHAY威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
VISHAY
数据手册

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更新时间

2025-8-2 15:01:00

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SIC639ACD-T1-GE3规格书详情

SIC639ACD-T1-GE3属于集成电路(IC)的全半桥驱动器。由威世科技半导体制造生产的SIC639ACD-T1-GE3全半桥驱动器器件属于电桥驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 系列,包含两个或多个功率晶体管,以及在外部器件控制下将其用作开关所需的电路。这些晶体管通常在内部配置为成对串联连接(称为半桥),因而任意指定晶体管对之间的结点都可以连接至两个电源轨中的任一个。这类器件常用于将控制器件(如微控制器)提供的低电平信号转换为操作执行器(如步进电机或无刷电机)所需的较大功率信号。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    SIC639ACD-T1-GE3

  • 制造商:

    Vishay Siliconix

  • 类别:

    集成电路(IC) > 全半桥驱动器

  • 系列:

    VRPower®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 输出配置:

    半桥(2)

  • 应用:

    同步降压转换器

  • 接口:

    PWM

  • 负载类型:

    电感,电容性

  • 技术:

    功率 MOSFET

  • 电流 - 输出/通道:

    50A

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 电压 - 负载:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 特性:

    自举电路,二极管仿真,状态标志

  • 故障保护:

    击穿,UVLO

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    PowerPAK® MLP55-31L

  • 供应商器件封装:

    PowerPAK® MLP55-31L

  • 描述:

    INTEGRATED POWER STAGE POWERPAK

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