| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
首页>SIA817EDJ-T1-GE3>芯片详情
SIA817EDJ-T1-GE3_NKK/恩楷楷_MOSFET -30V .065Ohm@10V 4.5A P-Ch G-III南科功率半导
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
SIA817EDJ-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET -30V .065Ohm@10V 4.5A P-Ch G-III
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
相近型号
- SIA533EDJ-T1-GE3
- SIA910EDJ-T1-GE3
- SIA527DJ-T1-GE3
- SIA911ADJ-T1-GE3
- SIA911DJ-T1-GE3
- SIA519EDJ-T1-GE3
- SIA912DJ-T1-GE3
- SIA517DJ-T1-GE3
- SIA913ADJ-T1-GE3
- SIA517DJ
- SIA485DJ-T1-GE3
- SIA914ADJ-T1-GE3
- SIA485DJ
- SIA914DJ-T1-GE3
- SIA483DJ-T1-GE3
- SIA483ADJ-T1-GE3
- SIA918EDJ-T1-GE3
- SIA477EDJT-T1-GE3
- SIA921EDJ
- SIA477EDJ-T1-GE3
- SIA921EDJ-T1-E3
- SIA472EDJ-T1-GE3
- SIA921EDJ-T1-GE3
- SIA471DJ-T1-GE3
- SIA469DJ-T1-GE3
- SIA922EDJ-T1-GE3
- SIA468DJ-T1-GE3
- SIA467EDJ-T1-GE3
- SIA923AEDJ-T1-GE3
- SIA466EDJ-T1-GE3
- SIA923EDJ-T1-GE3
- SIA465EDJ-T1-GE3
- SIA462DJ-T1-GE3
- SIA923EDJ-T4-GE3
- SIA461DJ-T1-GE3
- SIA928DJ-T1-GE3
- SIA461DJ
- SIA929DJ-T1-GE3
- SIA459EDJ-T1-GE3
- SIA931DJ
- SIA456DJ-T3-GE3
- SIA931DJ-T1-GE3
- SIA456DJ-T1-GE3
- SIA938DJT-T1-GE3
- SIA453EDJ-T1-GE3
- SIA950DJ-T1-GE3
- SIA450DJ-T1-GE3
- SIA975DJ
- SIA449DJ-T1-GE3
- SIA975DJ-T1-GE3


