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SIA433EDJ-T1-GE3规格书详情
FEATURES
• TrenchFET® power MOSFET
• New thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package
- Small footprint area
- Low on-resistance
• 100 Rg tested
• Built in ESD protection with Zener diode
• Typical ESD performance: 1800 V
• Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912
APPLICATIONS
• Portable devices
- Load switch
- Battery switch
- Charger switch
产品属性
- 型号：
SIA433EDJ-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET -20V 18mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2016+ |
QFN |
39000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
VB |
2019 |
QFN6 |
55000 |
绝对原装正品假一罚十! |
询价 | ||
CCSEMI/芯能圆 |
23+ |
QFN2X2-6 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
13+PB |
QFN |
710 |
向鸿原装正品/代理渠道/现货优势 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
QFN2X2-6 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
SOT-363 |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
询价 | ||
VISHAY |
2020+ |
QFN |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
VISHAY |
2020+ |
QFN6 |
9285 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
VISHAY(威世) |
23+ |
PowerPAK-SC-70-6 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
NA/ |
669 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 |
