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SI9435DY	文件：101.08 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SI9435DY	文件：1.83836 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI9435DY-HF	文件：1.86392 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI9435DY-T1-E3	文件：961.63 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9435	文件：299.94 Kbytes Page：2 Pages	20VP-ChannelIncreasedMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司	FUMAN
9435	文件：972.94 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9435	文件：1.21295 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET DESCRIPTION The9435usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. GENERALFEATURES ●VDS=-30V,ID=-5.1A RDS(ON)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
9435	文件：3.10684 Mbytes Page：5 Pages	SOP-8Plastic-EncapsulateMOSFETS Description The9435usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS,lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas4.5V. GeneralFeatures VDS=-30V RDS	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
9435	文件：130.87 Kbytes Page：1 Pages	MACHINESCREWPANPHILLIPS10-32	KEYSTONEKeystone Electronics Corp. Keystone公司Keystone Electronics有限公司	KEYSTONE
9435A	文件：118.48 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	booklyShanghai Baili Microelectronics Co., Ltd 百力微电子上海百力微电子股份有限公司	bookly
9435BDYSC	文件：1.69372 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9435GH	文件：180.03 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
9435GM	文件：959.68 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9435GM-HF	文件：959.64 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9435M	文件：959.56 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9435MSC	文件：959.57 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9435P	文件：959.52 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9435SC	文件：959.48 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9435WS	文件：960.32 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ACE9435B	文件：521.64 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerFETsareproducedwithhighcelldensity,DMOStrenchtechnology,whichisespeciallyusedtominimizeon-stateresistance.Thisdeviceisparticularlysuitedforlowvoltageapplicationsuchasportableequipment,powermanagementandotherbat	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE

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详细参数

型号：
SI9435D
功能描述：
MOSFET SO8 SINGLE PCH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SI9435D供应商更新时间2024-5-19 13:59:00

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