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Si8233CB-D-IM	文件：1.00511 Mbytes Page：59 Pages	0.5and4.0AmpISOdrivers(2.5and5kVRMS)	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI8233CB-D-IM	文件：1.23302 Mbytes Page：58 Pages	0.5and4.0AmpISOdrivers(2.5and5kVRMS) KEYFEATURES •Twocompletelyisolateddriversinone package •Upto5kVRMSinput-to-outputisolation •Upto1500VDCpeakdriver-to-driver differentialvoltage •HS/LSanddualdriverversions •Upto8MHzswitchingfrequency •0.5Apeakoutput(Si8230/1/2/7) •4.0Apeakoutput(Si	SKYWORKSSkyworks Solutions Inc. 思佳讯美国思佳讯公司	SKYWORKS
SI8233CB-D-IM	文件：994.44 Kbytes Page：59 Pages	AmpISOdrivers	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
STF8233	文件：105.85 Kbytes Page：7 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
TA8233AH	文件：645.63 Kbytes Page：13 Pages	30WBTLx2CHAUDIOPOWERAMPLIFIER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TA8233BH	文件：1.18946 Mbytes Page：14 Pages	30WBTLX2chAudioPowerAmplifier	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TA8233BHQ	文件：1.20175 Mbytes Page：14 Pages	BipolarLinearIntegratedCircuit	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TA8233BHQ	文件：1.21463 Mbytes Page：16 Pages	30WBTL횞2chAudioPowerAmplifier	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TA8233H	文件：598.04 Kbytes Page：13 Pages	30WBTLx2CHAUDIOPOWERAMPLIFIER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UPC8233TK	文件：344.22 Kbytes Page：15 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VCC=1.6to3.3V(2.7VTYP.) •Lownoise:NF=0.90dBTYP.@VCC=2.7V,fin=1575MHz NF=0.90dBTYP.@VCC=1.8V,fin=1575MHz •Highgain:GP=20dBTYP.@VCC=2.7V,fin=1575MHz GP=19.5dBTYP.@VCC=1.8V,fin=1575MHz •Lowcurr	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
SI8233CB-C-IM
功能描述：
IC DRIVER HI/LOW SIDE ISO 14-LGA
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
系列：
*
标准包装：
5
系列：
-
配置：
低端
输入类型：
非反相
延迟时间：
600ns 电流 -
峰：
12A
配置数：
1
输出数：
1 高端电压 -
最大（自引导启动）：
-
电源电压：
14.2 V ~ 15.8 V
工作温度：
-20°C ~ 60°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
21-SIP 模块
供应商设备封装：
模块
包装：
散装
配用：
BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
其它名称：
835-1063

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