| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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VISHAY/威世QFN |
98900 |
23+ |
原厂原装正品现货!! |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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SHARPSOP8 |
257000 |
ROHS全新原装 |
东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销 |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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VISHAQFN-8 |
10532 |
19+/20+ |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYQFN8 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市兴灿科技有限公司8年
留言
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VISHA23+ |
16500 |
2021+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
1079 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYQFN |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
5000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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VISHAYQFN |
2749 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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VISHA?QFN10 |
9682 |
22+ |
原装正品.原标原盒.用芯服务 |
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深圳市羿芯诚电子有限公司11年
留言
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SIBGA |
3220 |
23+ |
原装正品公司现货价格优惠欢迎查询 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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SILICONIXQFN |
39039 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市芯诚实创科技有限公司2年
留言
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SIQFN |
2300 |
2022 |
原装现货,诚信经营! |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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SIBGA |
2987 |
22+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
留言
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SIQFN |
5000 |
20+ |
原装正品 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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SIQFP |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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SINA/ |
235 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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SICLCC |
235 |
23+ |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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SILICONIXQFN |
668 |
04+ |
SI7840采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI7840图片
SI7840中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7840BDP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Si7840BDP vs. Si7840DP Specification Comparison
SI7840BDP-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 14A 4.1W 8.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7840BDP-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 16.5A 4.1W 8.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7840DP制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8
SI7840DP-T1功能描述:MOSFET 30V 18A 5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7840DP-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 18A 5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
