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SI7102DN-T1-GE3中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号:
SI7102DN-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 12V 35A 52W 3.8mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2020+ |
PAK1212 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
VISHAY |
20+ |
DFN33 |
32550 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
VISHAY |
21+ |
QFN8 |
1398 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
QFN8 |
9850 |
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询价 | ||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
新年份 |
DFN3*3 |
33288 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
PAK1212-8 |
25000 |
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询价 | ||
VISHAY |
06+ |
QFN8 |
312 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
NA/ |
3745 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+23+ |
DFN3*3 |
12580 |
16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |