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SI7102DN-T1-GE3中文资料威世科技数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
SI7102DN-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 12V 35A 52W 3.8mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
PowerPAK? 12128 |
7350 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3745 |
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VISHAY |
06+ |
QFN8 |
312 |
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Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
VISHAY |
2018+ |
DFN |
11256 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
DFN3*3 |
502691 |
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VISHAY |
25+23+ |
DFN |
19917 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
PowerPAK1212-8 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
VISHAY (SILICONIX) |
0937 |
20 |
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