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SI4966DY	文件：180.14 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Ordering Information: Si4966DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free) Si4966DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free) 文件：180.14 Kbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SI4966DY_V01	文件：180.14 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Ordering Information: Si4966DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free) Si4966DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free) 文件：180.14 Kbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SI4966DY	文件：52.79 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET 文件：52.79 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SI4966DY-T1-E3	文件：985.82 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：985.82 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
Si4966DY	文件：300 bytes Page：1 Pages	20-V (D-S) Dual	Vishay 威世	Vishay

更多SI4966D供应商更新时间2025-11-3 15:54:00