| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
|
VISHAYSOP8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
|
深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
|
VISHAY/威世SO-8 |
25000 |
23+ |
只做进口原装假一罚百 |
|||
|
深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
|
BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
|||
|
深圳市福安瓯科技有限公司11年
留言
|
VISHAYSOP-8 |
2050 |
22+ |
福安瓯为您提供真芯库存,真诚服务 |
|||
|
深圳赋能华科电子有限公司9年
留言
|
VISHAYSOP8 |
2960 |
22+ |
诚信交易大量库存现货 |
|||
|
深圳市英卓尔科技有限公司8年
留言
|
VISHAYSOP8 |
2960 |
20+ |
诚信交易大量库存现货 |
|||
|
深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
|
SISOP-8 |
9800 |
23+ |
现货库存,全新原装,特价销售 |
|||
|
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世SOP8 |
28284 |
22+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
|||
|
深圳市君亿电子科技有限公司3年
留言
|
VISHAY/威世SOP8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
|||
|
深圳市益百分电子有限公司10年
留言
|
VISHAYSO-8 |
2124 |
06+ |
||||
|
深圳市科创腾达科技有限公司3年
留言
|
VISHAYSOP8 |
8888888 |
21+ |
全新原装现货价格优惠可开票 |
|||
|
深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
|
VISHAY/威世SOP-8 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
|
深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
|
VISHAYSOP8 |
9000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
|
千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
|
SILICONIXSO-8 |
6010 |
17+ |
只做原装正品 |
|||
|
深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
|
VISHAYSOP8 |
250 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Vishay(威世)NA/ |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
|
香港创芯邦电子有限公司2年
留言
|
VISHAYSOP-8 |
125 |
23+ |
现货库存 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世NA/ |
3260 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
|
深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
|
VISHAYSOP8 |
24896 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
|||
|
深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世SMD-8 |
5250 |
23+ |
百分百进口原装环保整盘 |
SI4940采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4940图片
SI4940DY中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4940DY功能描述:MOSFET 40V 5.7A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4940DY-E3功能描述:MOSFET 40V 5.7A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4940DY-T1功能描述:MOSFET 40V 5.7A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4940DY-T1-E3功能描述:MOSFET 40V 5.7A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4940DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 40V 5.7A 2.1W 36mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
