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SI4936DY-T1-E3

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.025609 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI4947ADY-T1-E3

SOP-8

VISHAY/威世

SI-50246-F

激光封装

LINK-PP

上传:连普电子有限公司

LINK-PP

SI51214-A1FAGMR

TDFN6

SILICON

SI52143-A01AGM

QFN24

SILICON

详细参数

  • 型号:

    SI4936DY-T1

  • 功能描述:

    MOSFET 30 Volt 5.8 Amp 2.0W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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