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SI4925BDY-T1-E3中文资料百域芯数据手册PDF规格书
SI4925BDY-T1-E3规格书详情
特性 Features
VDS= -30V, ID= -9 A
RDS(ON) < 15mΩ @ VGS = -10V
RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = -4.5V
General Features
● Advanced Trench Technology
● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate
Charge
● Lead Free and Green Available
产品属性
- 型号：
SI4925BDY-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET 30 Volt 7.1 Amp 2.0W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY |
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VISHAY/威世 |
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SOIC-8 |
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